[发明专利]一种面向5G基站的耐压射频器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210147863.6 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114725192A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张濛;田晓坤;马晓华;陈怡霖;宓珉瀚;朱青 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种面向5G基站的耐压射频器件及其制备方法，该器件包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；沟道层，位于缓冲层上；源极，位于沟道层的一端；漏极，位于沟道层的另一端；插入层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之间；势垒层，位于插入层上；其中，沿着栅宽方向，在势垒层、插入层和沟道层内间隔设置有若干凹槽，凹槽的底部位于沟道层内；钝化层，位于势垒层上，其中，沿着栅宽方向，设置有贯穿钝化层的栅槽，且若干凹槽位于栅槽下；栅极，位于若干凹槽和栅槽中；其中，凹槽呈圆孔状，且该圆孔的中心位于栅长中心的延长线上。本发明的器件在沟道内部形成孔状阵列Fin结构，提高了器件线性度以及器件击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 面向 基站 耐压 射频 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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