[发明专利]一种面向5G基站的耐压射频器件及其制备方法

权利要求书

1.一种面向5G基站的耐压射频器件，其特征在于，包括：

衬底层；

缓冲层，位于所述衬底层上；

沟道层，位于所述缓冲层上；

源极，位于所述沟道层的一端；

漏极，位于所述沟道层的另一端；

插入层，位于所述沟道层上，且位于所述源极和所述漏极之间；

势垒层，位于所述插入层上；其中，沿着栅宽方向，在所述势垒层、所述插入层和所述沟道层内间隔设置有若干凹槽，所述凹槽的底部位于所述沟道层内；

钝化层，位于所述势垒层上，其中，沿着所述栅宽方向，设置有贯穿所述钝化层的栅槽，且若干所述凹槽位于所述栅槽下；

栅极，位于若干所述凹槽和所述栅槽中；

其中，所述凹槽呈圆孔状，且该圆孔的中心位于栅长中心的延长线上。

2.根据权利要求1所述的面向5G基站的耐压射频器件，其特征在于，所述凹槽与未刻蚀区域呈周期性排列。

3.根据权利要求2所述的面向5G基站的耐压射频器件，其特征在于，相邻所述凹槽之间的间隔距离与所述凹槽的直径相等。

4.根据权利要求1所述的面向5G基站的耐压射频器件，其特征在于，所述凹槽的直径为所述栅长的30％-50％。

5.一种面向5G基站的耐压射频器件的制备方法，其特征在于，包括：

S1：在衬底层上依次生长缓冲层、沟道层、插入层和势垒层；

S2：在所述沟道层上的一端制备源极，另一端制备漏极；

S3：在所述势垒层上生长钝化层；

S4：沿栅宽方向，刻蚀位于所述源极和所述漏极之间的所述钝化层，形成贯穿所述钝化层的栅槽；

S5：刻蚀位于所述栅槽下方的所述势垒层、所述插入层和所述沟道层，形成沿所述栅宽方向间隔排列的若干凹槽；

S6：在若干所述凹槽中和所述栅槽中沉积栅金属，形成栅极；

S7：制备所述源极和所述漏极之间的金属互联层；

其中，所述凹槽的底部位于所述沟道层内，所述凹槽呈圆孔状，且该圆孔的中心位于栅长中心的延长线上。

6.根据权利要求5所述的面向5G基站的耐压射频器件的制备方法，其特征在于，在所述S5中，所述凹槽与未刻蚀区域呈周期性排列，且相邻所述凹槽之间的间隔距离与所述凹槽的直径相等。

7.根据权利要求5所述的面向5G基站的耐压射频器件的制备方法，其特征在于，在所述S5中，所述凹槽的直径为所述栅长的30％-50％。