[发明专利]基于顶栅侧壁栅解耦合调制的高线性Fin-HEMT器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于顶栅侧壁栅解耦合调制的高线性Fin‑HEMT器件及其制备方法，包括：选取衬底层；在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层上生长i‑GaN层；在i‑GaN层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上淀积欧姆金属；从AlGaN势垒层的外围注入离子至i‑GaN层内；在AlGaN势垒层上制备SiN层；将栅脚区域的SiN层去除；在栅脚区域的AlGaN势垒层上制备顶栅；间隔去除侧壁栅区域的顶栅金属、AlGaN势垒层以及部分i‑GaN层，使AlGaN势垒层及AlGaN势垒层上的顶栅金属呈预设间隔间断排布；在侧壁栅区域的i‑GaN层上和顶栅金属上制备Al2O3介质层；在侧壁栅区域的Al2O3介质层的底部和侧壁上制备侧壁栅。本发明通过对顶栅和侧壁栅分别施加不同栅极偏置，在更大的栅极过驱动范围内提高跨导的平坦度和器件的线性度。