[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210139931.4 | 申请日： | 2022-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN115939167A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 松下宪一;北川光彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/07 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，能够减少损失。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第1半导体层，设置在二极管区域，包括在沿着第1电极的上表面的第1方向上交替地排列的第1导电形的多个第1半导体部分以及第2导电形的多个第2半导体部分；上述第2导电形的第2半导体层，设置在IGBT区域；以及上述第1导电形的第3半导体层，设置在上述第1半导体层上，在从上述第1电极朝向上述第1半导体层的第2方向上杂质浓度成为最大的第1位置，与第3位置相同或者比上述第3位置靠下方，该第3位置是在上述第2方向上从上述第1电极的上表面分离了上述第1半导体部分的杂质浓度成为最大的第2位置与下端之间的距离的3倍长度的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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