[发明专利]铁电存储器单元、其制备方法及铁电存储器的布局结构有效

专利信息
申请号: 202210135470.3 申请日: 2022-02-15
公开(公告)号: CN114203708B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 于绍欣 申请(专利权)人: 广州粤芯半导体技术有限公司
主分类号: H01L27/11507 分类号: H01L27/11507;H01L27/11509
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 510700 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种铁电存储器单元、其制备方法及铁电存储器的布局结构,铁电存储器单元包括:选择晶体管,包括基底,位于基底上的栅极结构和位于栅极结构两侧的基底中的源区和漏区;沟槽型铁电电容,包括设置于漏区中的沟槽、形成于沟槽底部和侧壁下极板,形成于下极板表面的铁电电容介质层、以及位于铁电电容介质层上表面的上极板。本发明的铁电存储器单元,可以在铁电存储器单元缩小的情况下解决电容面积不足的问题,使电容容量扩大2‑4倍,极大提升单元存储性能。本发明可使寄生电容和互联电阻减小,提升铁电存储器单元性能。
搜索关键词: 存储器 单元 制备 方法 布局 结构
【主权项】:
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