[发明专利]半导体装置及连续读出方法在审
| 申请号： | 202210121583.8 | 申请日： | 2022-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN115148262A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 冈部翔 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及抑制由预充电时间增加引起的预充电电压的变动的连续读出方法。本发明的NAND型闪速存储器的连续读出方法包括以下步骤：向与位线连接的晶体管(BLCLAMP)的栅极施加第一电压(VCLMP1+Vth)，经由晶体管(BLCLAMP)向位线供给电压而开始位线的预充电；以及在施加第一电压引起的预充电时间经过了一定时间时，向晶体管(BLCLAMP)的栅极施加比第一电压低的第二电压(VCLMP1+Vth‑α)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 连续 读出 方法 | ||
【主权项】：
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