[发明专利]晶体管器件及其制造方法在审
| 申请号: | 202210113386.1 | 申请日: | 2022-01-30 |
| 公开(公告)号: | CN114864677A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
| 发明(设计)人: | R·西门尼克;I·穆里;T·施洛瑟;H-J·舒尔茨;O·斯托贝克 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘书航;周学斌 |
| 地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 公开了晶体管器件及其制造方法。提出了一种晶体管器件(10)。晶体管器件(10)的示例包括半导体本体(100),其具有第一主表面(101)、与第一主表面(101)相对的第二主表面(102)。晶体管器件(10)进一步包括晶体管单元阵列(610),其包括多个晶体管单元(TC)。晶体管单元阵列(610)包括在第一主表面(101)上的第一负载电极(L1)。第一负载电极(L1)被电连接到多个晶体管单元(TC)。晶体管单元阵列(610)进一步包括在第二主表面(102)上的第二负载电极(L2)。第二负载电极(L2)被电连接到多个晶体管单元(TC)。多个晶体管单元(TC)包括至少一个控制电极(C),该至少一个控制电极(C)包括碳。 | ||
| 搜索关键词: | 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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