[发明专利]用于恶劣环境下的MEMS压力传感器芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202210111735.6 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114486012A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 毕勤;刘晓宇 | 申请（专利权）人： | 无锡胜脉电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81B7/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于恶劣环境下的MEMS压力传感器芯片及制备方法，属于敏感元件与传感器技术领域。所述压力传感器芯片包括：从上到下依次键合的第一力敏芯片、互联层、第二力敏芯片；本发明通过双芯片集成，互联层连接的结构设计，将电路部分与环境完全隔离，大幅度的提升了芯片在恶劣环境中应用的可靠性，且可以用于差压检测，即双面均为腐蚀性介质的环境中。同时，本发明可以直接使用常规封装手段进行封装，解决了现有介质隔离压力传感器封装困难的问题，可广泛应用于恶劣环境下使用的传感器芯片的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 恶劣 环境 mems 压力传感器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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