[发明专利]一种红黄GaAs系LED芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202210110612.0 | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114551658A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 窦志珍;兰晓雯;杨琦;贾钊;胡加辉;金从龙;顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C30B23/02;C30B29/40;H01L33/30 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种红黄GaAs系LED芯片及制备方法，该红黄GaAs系LED芯片包括依次层叠设置的GaAs衬底、外延层、高掺GaP层以及反射层，所述高掺GaP层包括依次设置的第一碳掺GaP层、第二碳掺GaP层、第三碳掺GaP层以及第四碳掺GaP层，所述第一碳掺GaP层设置在靠近所述外延层的一侧，所述第一碳掺GaP层与所述第二碳掺GaP层、所述第二碳掺GaP层与所述第三碳掺GaP层之间均设有多个过渡GaP层，所述反射层包括介质层和金属镜面层，所述介质层设于靠近所述高掺GaP层的一侧。本发明解决了现有技术中的LED芯片发光效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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