[发明专利]一种红黄GaAs系LED芯片及制备方法

权利要求书

1.一种红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，包括依次层叠设置的GaAs衬底、外延层、高掺GaP层以及反射层，所述高掺GaP层包括依次设置的第一碳掺GaP层、第二碳掺GaP层、第三碳掺GaP层以及第四碳掺GaP层，所述第一碳掺GaP层设置在靠近所述外延层的一侧，所述第一碳掺GaP层与所述第二碳掺GaP层、所述第二碳掺GaP层与所述第三碳掺GaP层之间均设有多个过渡GaP层，所述反射层包括介质层和金属镜面层，所述介质层设于靠近所述高掺GaP层的一侧。

2.根据权利要求1所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，所述第一碳掺GaP层的碳掺杂浓度为3e16cm^-3，所述第二碳掺GaP层的掺杂浓度为3e17cm^-3、所述第三碳掺GaP层的掺杂浓度为5e18cm^-3，所述第四碳掺GaP层的掺杂浓度为5e20cm^-3。

3.根据权利要求1所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，所述第一碳掺GaP层的生长厚度为5000A，所述第二碳掺GaP层的生长厚度为3000A，所述第三碳掺GaP层的生长厚度为3000A，所述第四碳掺GaP层的生长厚度为100A-300A。

4.根据权利要求1所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，所述多个过渡GaP层的碳掺杂浓度由所述高掺GaP层碳掺杂浓度低的一侧向所述高掺GaP层碳掺杂浓度高的一侧逐渐增加。

5.根据权利要求1或4所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，所述多个过渡GaP层以3e1cm^-3一台阶由所述高掺GaP层碳掺杂浓度低的一侧向所述高掺GaP层碳掺杂浓度高的一侧逐渐过渡。

6.根据权利要求1所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，多个所述过渡GaP层的生长厚度共1000A。

7.根据权利要求1所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，所述高掺GaP层上生长有第一SiO₂层，在所述第一SiO₂层上蚀刻出有CB孔，后生长第二SiO₂层以形成所述介质层。

8.根据权利要求7所述的红黄GaAs系LED芯片，其特征在于，所述介质层上远离所述高掺GaP层的一侧表面蒸镀有镜面金属，以形成所述镜面金属层。

9.一种红黄GaAs系LED芯片制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至8中任一项所述的红黄GaAs系LED芯片，所述方法包括：

提供一GaAs衬底；

在所述GaAs衬底生长外延层；

在所述外延层上依次生长第一碳掺GaP层，然后生长过渡GaP层，接着继续生长第二碳掺GaP层,然后生长过渡GaP层，接着继续生长第三碳掺GaP层，最后生长第四碳掺GaP层；

在所述第四碳掺GaP层上生长第一SiO₂层作为CB层，并在所述CB层上光刻出CB图形，然后湿法蚀刻出CB孔，后在所述第一CB层上生长第二SiO₂层。

10.根据权利要求9所述的红黄GaAs系LED芯片制备方法，其特征在于，所述在所述外延层上依次生长第一碳掺GaP层，然后生长过渡GaP层，接着继续生长第二碳掺GaP层,然后生长过渡GaP层，接着继续生长第三碳掺GaP层，最后生长第四碳掺GaP层的步骤包括：

在所述外延层上依次生长掺杂浓度为3e16cm^-3的第一碳掺GaP层，然后生长每3e1cm^-3一个台阶过渡至3e17cm^-3的过渡GaP层，接着继续生长掺杂浓度为3e17cm^-3第二碳掺GaP层,然后生长每3e1^-3一个台阶过渡至5e18cm^-3的过渡GaP层，接着继续生长掺杂浓度为5e18cm^-3的第三碳掺GaP层，最后生长掺杂浓度为5e20cm^-3的第四碳掺GaP层。