[发明专利]基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210109338.5 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114582954A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 袁昊;周瑜;汤晓燕;宋庆文;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件及其制备方法，制备出的基区横向掺杂浓度渐变的碳化硅功率器件包括p+外延层1、P‑基区2、N+衬底3、钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明P‑基区2使用横向变掺杂基区，可以提高P+/P‑结处P‑基区的掺杂浓度，降低器件负角处的浓度梯度，抑制表面电场，提高器件的工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 掺杂 浓度 渐变 碳化硅 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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