[发明专利]基于背偏调制的半导体器件、制备方法及系统有效
| 申请号： | 202210103752.5 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114121679B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘尧;刘海彬;史林森;关宇轩;段花花;刘森 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于背偏调制的半导体器件、制备方法及系统，通过具有双绝缘层的基底，可制备具有背偏电极及中间层的半导体器件，且在半导体器件中，中间层位于绝缘层之间，并与背偏电极电连接，从而通过对功率管的静态漏电监测，可确定功率管的散热背偏，并通过背偏电极可调节降低功率管的漏电功耗，减少漏电生热；进一步的P型或N型的中间层，还可作为功率管的热沉，从而实现对功率管的散热；进一步的位于绝缘层之间且独立设置的中间层，还可在背偏调制期间避免对其他元件造成影响，同时还可提供较大的调节范围。因此，本发明可有效解决高密度集成的多功能芯片的散热问题，使得半导体器件中的电路具有较高的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 调制 半导体器件 制备 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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