[发明专利]利用新的单元几何结构增强固态功率半导体器件特性在审
| 申请号： | 202210103430.0 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114927570A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 阿拉什·萨莱米;大卫·谢里登 | 申请（专利权）人： | 万国半导体国际有限合伙公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/16 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 加拿大安大略省多伦多*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该器件包括重掺杂第一导电类型的衬底和在衬底上形成的轻掺杂第一导电类型的外延层。衬底和外延层之间的缓冲层以衬底和外延层之间的掺杂水平掺杂第一导电类型。一种单元，包括掺杂有在外延层中形成的第二导电性的本体区域。第二种导电类型与第一种导电类型相反。所述单元包括掺杂有第一导电类型且形成在至少所述本体区域中的源极区域。所述器件还包括掺杂有第二导电类型的短接区域，所述第二导电类型形成于外延层中，所述外延层通过所述单元的本体区域与所述单元的源极区域分离，其中所述短接区域与所述源极区域导电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 单元 几何 结构 增强 固态 功率 半导体器件 特性 | ||
【主权项】：
暂无信息
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