[发明专利]动态存储器及其读写方法、存储装置在审
| 申请号： | 202210102587.1 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN116206647A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张筱宁;王存霞 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种动态存储器及其读写方法、存储装置，动态存储器包括存储阵列、与存储阵列电连接的列选择开关、以及单比特读写电路和多比特读写电路。通过在动态存储器中同时设置多比特读写电路和单比特读写电路，列选择开关分别将存储阵列(或者存储阵列中的部分存储区域)与多比特读写电路或者单比特读写电路电连接，可以根据实际需求将存储阵列(或者存储阵列中的部分存储区域)配置成存储容量大的多比特读写模式、或者是读写速度较快的单比特读写模式，因此能够灵活地切换存储阵列的数据写入和数据读取方式，使得动态存储器能够适用于不同的应用场景，提高了动态存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 存储器 及其 读写 方法 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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