[发明专利]动态存储器及其读写方法、存储装置

权利要求书

1.一种动态存储器，其特征在于，包括：

存储阵列，包括多个阵列排布的存储单元、多条写字线、多条写位线、多条读字线和多条读位线；所述存储单元包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的源极电连接，所述存储单元用于存储单个比特的数据，或者用于存储多个比特的数据；

列选择开关，与所述存储阵列电连接；

单比特读写电路，在一所述写字线被选中时，所述列选择开关与所述单比特读写电路电连接，所述列选择开关将待写入的存储单元所对应的写位线接通至所述单比特读写电路，所述单比特读写电路将单个比特的数据写入所述存储单元中；在一所述读字线被选中时，所述列选择开关将待读出的存储单元所对应的读位线接通至所述单比特读写电路，所述单比特读写电路将单个比特的数据从所述存储单元中读出；

多比特读写电路，在一所述写字线被选中时，所述列选择开关与所述多比特读写电路电连接，所述列选择开关将待写入的存储单元所对应的写位线接通至所述多比特读写电路，所述多比特读写电路将多个比特的数据写入所述存储单元中；在一所述读字线被选中时，所述列选择开关将待读出的存储单元所对应的读位线接通至所述多比特读写电路，所述多比特读写电路将多个比特的数据从所述存储单元中读出。

2.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述动态存储器还包括寄存模块，所述寄存模块用于接收外部输入数据，所述寄存模块用于控制单比特读写模式或多比特的读写模式；

在单比特读写模式下，在一所述写字线被选中时，所述列选择开关将待写入的存储单元所对应的写位线接通至所述单比特读写电路，所述单比特读写电路接收所述寄存模块所发送的数据，并将所述寄存模块所发送的数据转换为电压信号发送至待写入存储单元所对应的写位线；在一所述读字线被选中时，所述列选择开关将待读出的存储单元所对应的读位线接通至所述单比特读写电路，所述单比特读写电路将单个比特的数据从所述存储单元中读出；

在多比特读写模式下，在一写字线被选中时，所述列选择开关与所述多比特读写电路电连接，所述列选择开关将待写入的存储单元所对应的写位线接通至所述多比特读写电路，所述多比特读写电路将多个比特的数据写入所述存储单元中；在一所述读字线被选中时，所述列选择开关将待读出的存储单元所对应的读位线接通至所述多比特读写电路，所述多比特读写电路将多个比特的数据从所述存储单元中读出。

3.根据权利要求2所述的动态存储器，其特征在于，所述寄存模块包括互相电连接的寄存器以及组合模块，所述组合模块与所述多比特读写电路电连接，所述寄存器用于接收外部输入数据，并将所述外部输入数据存储为单个比特的形式，所述组合模块用于将所述寄存器中的数据组合成多个比特的形式，并将组合后的数据发送至所述多比特读写电路。

4.根据权利要求3所述的动态存储器，其特征在于，所述多比特读写电路包括数模转换模块和模数转换模块，所述数模转换模块与所述组合模块电连接；

在多比特写入模式下，所述数模转换模块与所述列选择开关电连接，所述组合模块将所述组合后的数据发送至所述数模转换模块，所述数模转换模块将接收到的数据转为第一电信号，所述列选择开关将待写入的存储单元所对应的写位线接通至所述数模转换模块，所述数模转换模块将所述第一电信号通过列选择开关发送至所述待写入存储单元所对应的写位线；

在多比特读出模式下，所述模数转换模块与所述列选择开关电连接，所述列选择开关将待读出的存储单元所对应的读位线接通至所述模数转换模块，以将所述读位线上的数据读出。

5.根据权利要求3所述的动态存储器，其特征在于，所述寄存器包括移位解码模块，所述移位解码模块用于多比特读写模式的位移解码。