[发明专利]太阳能电池制作方法及太阳能电池在审
| 申请号： | 202210101558.3 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114551640A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 闫循磊;高贝贝;王正幸;张星;刘长明;张昕宇 | 申请（专利权）人： | 晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种太阳能电池制作方法进太阳能电池，包括：在硅衬底的正面制作硼扩散层，采用等离子增强原子层沉积工艺在所述硼扩散层上制作正面氧化铝层，所述等离子增强原子层沉积工艺的循环次数为n，所述n小于或者等于80，所述制作正面氧化铝层包括：在所述硼扩散层上制作第一氧化铝层，所述第一氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于7500w小于10000w，循环次数小于或者等于35％n，在所述第一氧化铝层上制作第二氧化铝层，其中，所述第二氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于10000w小于15000w。该太阳能电池制作方法提升了太阳能电池的质量，提高了太阳能电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
