[发明专利]太阳能电池制作方法及太阳能电池

说明书

本申请提供了一种太阳能电池制作方法进太阳能电池，包括：在硅衬底的正面制作硼扩散层，采用等离子增强原子层沉积工艺在所述硼扩散层上制作正面氧化铝层，所述等离子增强原子层沉积工艺的循环次数为n，所述n小于或者等于80，所述制作正面氧化铝层包括：在所述硼扩散层上制作第一氧化铝层，所述第一氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于7500w小于10000w，循环次数小于或者等于35％n，在所述第一氧化铝层上制作第二氧化铝层，其中，所述第二氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于10000w小于15000w。该太阳能电池制作方法提升了太阳能电池的质量，提高了太阳能电池的效率。

技术领域

本申请属于光伏太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种太阳能电池制作方法及太阳能电池。

背景技术

现有常规制备光伏太阳能电池方式一般为原子层沉积(Atomic LayerDeposition；ALD)方式和等离子体增强型原子层沉积(Plasma Enhanced Atomic LayerDeposition；PEALD)方式；其中ALD热源通量较大，很难做到钝化层的单层沉积；PEALD能够采用循环次数控制，达到钝化层预设厚度的沉积。

TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池技术，其电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合，TOPCon因其优异的高效性及兼容性，越来越受市场的关注，成为N型高效电池产业化的切入点。

N型TOPCon电池采用PEALD方式正面钝化时，需要结合硼扩散面进行优化，容易对硼扩散面产生损伤，导致TOPCon电池效率降低。

发明内容

本申请的目的在于提供一种太阳能电池制作方法及太阳能电池以改善太阳能电池制备过程中钝化效果，提升电池效率。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：本申请第一方面提供一种太阳能电池制作方法，包括：

在硅衬底的正面制作硼扩散层；

采用等离子增强原子层沉积工艺在所述硼扩散层上制作正面氧化铝层，所述等离子增强原子层沉积工艺的循环次数为n，所述n小于或者等于80，所述制作正面氧化铝层包括：

在所述硼扩散层上制作第一氧化铝层，所述第一氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于7500w小于10000w，循环次数小于或者等于35％n；

在所述第一氧化铝层上制作第二氧化铝层，其中，所述第二氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于10000w小于15000w。

在一实施例中，所述第一氧化铝层的厚度大于或者等于0.3nm小于或者等于0.6nm，所述第二氧化铝层的厚度大于或者等于2nm小于或者等于4nm。

在一实施例中，所述第一氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于9000w小于或者等于9600w，所述第二氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于10000w小于或者等于12000w。

在一实施例中，所述在所述第一氧化铝层上制作第二氧化铝层之后还包括：在所述第二氧化铝层上制作氮化硅层或者氮氧化硅层。

在一实施例中，所述在所述第二氧化铝层上制作氮化硅层或者氮氧化硅层包括：

采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第二氧化铝层上沉积所述氮化硅层或者氮氧化硅层。

在一实施例中，所述采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第二氧化铝层上沉积所述氮化硅层或者氮氧化硅层包括：