[发明专利]一种气体喷淋头装置、制备方法及等离子体处理设备在审
| 申请号： | 202210100347.8 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN116564780A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 伊凡·比久科夫;叶如彬 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张双红;包姝晴 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气体喷淋头装置、制备方法及等离子体处理设备，所述气体喷淋头装置，其用于等离子体刻蚀腔中，所述气体喷淋头装置包含第一面和第二面，所述第二面与等离子体环境接触，所述气体喷淋头装置包括：喷淋头本体，设置于所述等离子体刻蚀腔的顶部；所述喷淋头本体上设置有若干个气体喷淋孔，所述气体喷淋孔由所述第一面贯穿至所述第二面；所述若干个气体喷淋孔内设置有填充物，所述填充物为多孔材料；气体经所述多孔材料通入至所述等离子体刻蚀腔内，以使所述填充物对所述气体通入方向进行控制。本发明通过在气体喷淋孔内填塞填充物，可以对气体流量、流速、通入方向进行控制，以避免引起关键尺寸的偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气体 喷淋 装置 制备 方法 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】：
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