[发明专利]一种N极性III-V族半导体材料的干法刻蚀工艺在审
| 申请号： | 202210098255.0 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114551234A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 葛晓明;李成果;尹雪兵;曾巧玉;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 薛梦 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种N极性III‑V族半导体材料的干法刻蚀工艺，涉及半导体材料技术领域。本发明所述干法刻蚀工艺为：对N极性III‑V族半导体材料进行ICP刻蚀，工作气体包含三氯化硼、氯气、氩气和含氟离子的刻蚀气体。本发明通过对工作气体的种类进行选择，使得刻蚀后的半导体材料的表面更为光滑、杂质较少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 iii 半导体材料 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
