[发明专利]一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片在审
| 申请号： | 202210091822.X | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114496914A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 胡孝伟;代文亮;张竞颢;袁琳 | 申请（专利权）人： | 上海芯波电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L25/065;H01L25/18;H05K1/18;H05K3/34 |
| 代理公司： | 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片，包括以下步骤：玻璃正面涂抗HF的腐蚀的胶膜；玻璃衬底经背面研磨减薄；通过化学机械抛光；玻璃衬底背面经一定比例的HF酸和氨水的混合溶液做同性刻蚀，形成碗状的凹槽；再用离子束蚀刻垂直导通形成深槽，刻穿玻璃衬底；蒸镀TiN/Cu种子层；通过带胶电镀形成细长的凸起；再次通过回流焊接工艺，形成球状；通过划片道切割；将单个单元的裸片与PCB高温焊接贴合。其优点在于：基于硅衬底的TSV原理对玻璃衬底3背面开孔的技术，其3D/TGV的原理是在玻璃芯片的背面做铜走线的连接以及芯片与PCB板的焊接；从而实现器件堆叠减少集成芯片尺寸以及体积，缩短铜走线，降低功耗，提高电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 玻璃 衬底 芯片 封装 工艺 器件 集成 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯波电子科技有限公司，未经上海芯波电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210091822.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
