[发明专利]一种高可靠抗辐射原子开关型配置单元结构有效
| 申请号： | 202210086678.0 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114421943B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 许磊;刘国柱;魏敬和;赵伟;魏轶聃;魏应强;隋志远;陈浩然;周颖 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 郑婷婷;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高可靠抗辐射原子开关型配置单元结构，属于微电子集成电路领域，具有上下对称结构，包括原子开关AS1和AS2、选通管T11、T12、T21和T22、以及信号传输管T3；选通管T11的漏端与原子开关AS1的阴极相接，选通管T21的漏端与原子开关AS2的阴极相接，所述选通管T11的源端和所述选通管T21的源端相接；选通管T12的漏端与原子开关AS1的阴极相接，选通管T22的漏端与原子开关AS2的阴极相接，所述选通管T12和T22的源端均接地；所述信号传输管T3的控制栅与所述选通管T11的源端和所述选通管T21的源端相连。本发明AS型配置单元结构简单，兼容于CMOS工艺，集成度高，具有高速、高可靠性、编程效率高、高开关比等优势，并且抗总剂量能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠 辐射 原子 开关 配置 单元 结构 | ||
【主权项】：
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