[发明专利]一种高可靠抗辐射原子开关型配置单元结构

权利要求书

1.一种高可靠抗辐射原子开关型配置单元结构，其特征在于，具有上下对称结构，包括原子开关AS1和AS2、选通管T11、T12、T21和T22、以及信号传输管T3；

选通管T11的漏端与原子开关AS1的阴极相接，选通管T21的漏端与原子开关AS2的阴极相接，所述选通管T11的源端和所述选通管T21的源端相接；

选通管T12的漏端与原子开关AS1的阴极相接，选通管T22的漏端与原子开关AS2的阴极相接，所述选通管T12和T22的源端均接地；

所述信号传输管T3的控制栅与所述选通管T11的源端和所述选通管T21的源端相连；

所述原子开关AS1和AS2是由活性金属电极-固体电解质-惰性金属电极构成的三明治结构，活性金属电极作为阳极，惰性金属电极作为阴极；

对其中一个原子开关进行Set操作时，在该原子开关的阳极施加正电压Vset，同时该原子开关的阴极接地，在固体电解质中形成金属导电细丝的导电通道，原子开关导通；所述原子开关具有非易失性，即在Set过程后，阳极电压为0V时，金属导电细丝不会溶解，能够稳定存在；

对其中一个原子开关进行Reset操作时，在该原子开关的阳极施加负电压Vreset，同时该原子开关的阴极接地，金属导电细丝溶解，原子开关断开，即Reset过程。

2.如权利要求1所述的高可靠抗辐射原子开关型配置单元结构，其特征在于，当原子开关AS1的阳极施加Vset或Vreset时，所述选通管T12的控制栅SG12施加一指定电位，使选通管T12处于开态，从而实现原子开关AS1的Set或Reset过程；当原子开关AS2的阳极施加Vset或Vreset时，所述选通管T22的控制栅SG22施加一指定电位，使选通管T22处于开态，从而实现原子开关AS2的Set或Reset过程。

3.如权利要求2所述的高可靠抗辐射原子开关型配置单元结构，其特征在于，当原子开关AS1进行Set或者Reset操作时，将选通管T11关闭，以避免信号传输管T3错误开启，提高AS2的可靠性；当原子开关AS2进行Set或者Reset操作时，将选通管T21关闭，以避免信号传输管T3错误开启，提高AS1的可靠性。

4.如权利要求1所述的高可靠抗辐射原子开关型配置单元结构，其特征在于，所述选通管T11、T12、T21、T22和所述信号传输管T3是同一种沟道类型MOS器件，均为低压MOS管。