[发明专利]一种基于极性加固技术的SRAM存储电路在审
| 申请号： | 202210081246.0 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114429774A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 彭春雨;强斌;卢文娟;赵强;郝礼才;蔺智挺;吴秀龙 | 申请（专利权）人： | 安徽大学;合肥市微电子研究院有限公司;合肥海图微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于极性加固技术的SRAM存储电路，包括四个PMOS晶体管和十个NMOS晶体管，PMOS晶体管P1、P2作为上拉管，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合；NMOS晶体管N3、N4、N5、N6作为下拉管，NMOS晶体管N5和N6交叉耦合；主存储节点Q和QN通过NMOS晶体管N7与N8分别与位线BL和BLB相连，冗余存储节点S0与S1通过NMOS晶体管N9与N10分别与位线BL和BLB相连；位线BL与NMOS晶体管N7与N9的源极电连接，位线BLB与NMOS晶体管N8与N10的源极电连接。利用该结构的存储电路可以提高存储单元写速度、降低单元功耗，并提高单元抗单粒子翻转SEU的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 极性 加固 技术 sram 存储 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽大学;合肥市微电子研究院有限公司;合肥海图微电子有限公司，未经安徽大学;合肥市微电子研究院有限公司;合肥海图微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210081246.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
