[发明专利]一种双层约瑟夫森结的超导集成电路及其制备方法在审
申请号: | 202210079909.5 | 申请日: | 2022-01-24 |
公开(公告)号: | CN114497113A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 任洁;林倩;应利良;王镇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L27/18 | 分类号: | H01L27/18;H01L39/02;H01L39/22;H01L39/24 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种双层约瑟夫森结的超导集成电路及其制备方法,该超导集成电路包括衬底、逻辑层及信号传输层,其中,逻辑层位于衬底上方,逻辑层包括至少一用于存储和/或运算的下层约瑟夫森结;信号传输层位于逻辑层上方并与逻辑层电连接以对逻辑层的输入输出信号进行传输,信号传输层包括至少一用于约瑟夫森传输线的上层约瑟夫森结。本发明采用双层约瑟夫森结设置,上层约瑟夫森结可无需配置偏置电阻与并联电阻,不仅有利于提高超导集成电路的集成度,还有利于提高超导集成电路的频率,且更小的约瑟夫森传输线集成面积使得上层信号传输层对下层逻辑的布线更加灵活自由。此外,信号传输层还可用于制作无源传输线,进一步提升超导集成电路的集成度。 | ||
搜索关键词: | 一种 双层 约瑟夫 超导 集成电路 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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