[发明专利]降低薄膜残余应力的方法在审
| 申请号： | 202210068254.1 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114823282A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 段羽;李泽;王振宇;陈子强;王锦涛;上官廉朝 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/35;C23C14/58;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 郭婷 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种降低薄膜残余应力的方法，包括以下步骤：S1、通过高温胶带将衬底固定在带有弯曲面的柱状体上，将衬底严密贴附在柱状体表面，使衬底形成预弯折效应；S2、通过充满N |
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| 搜索关键词： | 降低 薄膜 残余 应力 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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