[发明专利]降低薄膜残余应力的方法在审
| 申请号： | 202210068254.1 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114823282A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 段羽;李泽;王振宇;陈子强;王锦涛;上官廉朝 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/35;C23C14/58;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 郭婷 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 薄膜 残余 应力 方法 | ||
1.一种降低薄膜残余应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、通过高温胶带将衬底固定在带有弯曲面的柱状体上，将所述衬底严密贴附在所述柱状体表面，使所述衬底产生预弯折效应；
S2、通过充满N2气体的手套箱将所述衬底移动至真空镀膜腔室中，并在所述衬底上生长薄膜；
S3、通过所述高温胶带将生长有薄膜的衬底固定在加热台上进行热处理，释放所述薄膜内部的残余应力。
2.根据权利要求1所述的降低薄膜残余应力的方法，其特征在于，所述衬底为柔性PI衬底、柔性PEI衬底、柔性PEN衬底或柔性parylene衬底，所述衬底的厚度为15-50μm。
3.根据权利要求2所述的降低薄膜残余应力的方法，其特征在于，在所述衬底上生长薄膜后，所述衬底带动所述薄膜向内进行第一次收缩，当所述衬底收缩至阈值后，薄膜内部的残余应力带动所述衬底向内进行第二次收缩，在第二次收缩过程中，所述衬底产生反作用力抑制所述薄膜进行收缩；当所述薄膜的残余应力等于所述反作用力时，达到第一次平衡状态。
4.根据权利要求3所述的降低薄膜残余应力的方法，其特征在于，所述步骤S2中制备薄膜的温度为40-60℃，所述薄膜的厚度为30-50nm。
5.根据权利要求4所述的降低薄膜残余应力的方法，其特征在于，所述薄膜的材料为ALD-Al2O3、CVD-SiO2、SiN2或磁控溅射的氧化物薄膜。
6.根据权利要求5所述的降低薄膜残余应力的方法，其特征在于，所述步骤S3中对所述衬底和薄膜进行热处理后，所述反作用力减小，所述薄膜的残余应力带动所述衬底向内进行第三次收缩，在第三次收缩过程中，所述衬底产生反作用力抑制所述薄膜进行收缩；当所述薄膜的残余应力再次等于所述反作用力时，达到第二次平衡状态，此时所述薄膜的残余应力达到最小值。
7.根据权利要求6所述的降低薄膜残余应力的方法，其特征在于，在所述加热台上进行热处理的时间为10-50min。
8.根据权利要求7所述的降低薄膜残余应力的方法，其特征在于，所述加热台的温度为60℃-100℃。
9.根据权利要求8所述的降低薄膜残余应力的方法，其特征在于，通过预弯折工艺使所述薄膜和所述衬底的表面积差为0。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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