[发明专利]一种复合p型空穴注入层改善蓝绿光Micro-LED通信性能的方法及器件有效
| 申请号： | 202210065490.8 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114551654B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王新强;黄振;杨嘉嘉;李铎;陈兆营;陶仁春;沈波 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/68;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合p型空穴注入层改善蓝绿光Micro‑LED通信性能的方法及器件。该蓝绿光Micro‑LED器件包括：衬底、AlN缓冲层、u‑GaN外延层、n型电子提供层、n型电子传输层、InGaN/GaN晶格过渡层、量子阱发光层、spacer外延层、电子阻挡层、复合p型空穴注入层、p型欧姆接触层和接触电极，其中复合p型空穴注入层由p‑AlGaN/p‑GaN超晶格和极化诱导p‑AlGaN组成。相比于传统p‑GaN，复合p型空穴注入层可以提高膜层空穴浓度和电导率，且空穴浓度的增加可以加速电子空穴复合速率，降低量子阱中的载流子寿命，从而增大Micro‑LED的调制带宽。此外，输出光功率及调制带宽的增加进一步提高了Micro‑LED的数据传输速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 空穴 注入 改善 蓝绿 micro led 通信 性能 方法 器件 | ||
【主权项】：
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