[发明专利]包括贯通孔结构的半导体器件在审
| 申请号： | 202210063164.3 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN115132698A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 黄善宽;金泰成;罗勋奏;文光辰;全炯俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；集成电路层，在半导体衬底上；第一至第n金属布线层(其中n为正整数)，顺序堆叠在半导体衬底和集成电路层上；第一贯通孔结构，沿竖直方向从第一过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，该第一过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一；以及第二贯通孔结构，与第一贯通孔结构分开，沿竖直方向从第二过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，该第二过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 贯通 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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