[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210051000.9 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114400287A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 徐亚超;吴公一 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 吴素花;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：衬底以及设置在所述衬底上的电容；所述电容至少包括上电极层，所述上电极层在多个平面内延伸，限定出非闭合的容纳腔；上电极板，与所述上电极层接触连接；所述上电极板包括：硅锗层以及覆盖所述硅锗层的第一导电层；所述硅锗层填充所述容纳腔，所述第一导电层的电导率大于所述硅锗层的电导率；接触插塞，与所述上电极板接触连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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