[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210039191.7 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN115458682A | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 高场裕之 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;黄健 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括着陆垫以及设置于着陆垫上且与着陆垫电性连接的电容器。电容器包括圆柱形底电极、介电层以及顶电极。圆柱形底电极设置于着陆垫上且与着陆垫接触，其中圆柱形底电极的内表面包括多个凸部，且圆柱形底电极的外表面包括多个凹部。介电层共形地设置在圆柱形底电极的内表面及外表面上，且覆盖圆柱形底电极的多个凸部及多个凹部。顶电极共形地设置在圆柱形底电极的内表面及外表面上方的介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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