[发明专利]一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法在审
| 申请号： | 202210033150.7 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114388360A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 傅海林;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰 | 申请（专利权）人： | 澳芯集成电路技术（广东）有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 苗雨 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其可提高铝衬垫聚合物去除效果，同时可避免铝衬垫被腐蚀，提供一半导体结构，半导体结构包括衬底、铝衬垫，铝衬垫制作方式为：在衬底最顶层依次沉积铝衬垫层、抗反射层、光刻胶层，采用光刻工艺依次对相应区域光刻胶层进行光刻，采用第一次干法刻蚀对相应区域的剩余光刻胶层、抗反射层、铝衬垫层进行刻蚀，获取铝衬垫，同时在铝衬垫表面生成聚合物，聚合物中残余氯离子，采用第二次干法刻蚀对剩余光刻胶层、聚合物进行刻蚀，第二次干法刻蚀气体包括氢气与氮气的混合气体、氧气、水气、氮气，借助氢气中的氢离子与聚合物中残余的氯离子反应，生成氯化氢气体，采用第一次湿法清洗对聚合物进行清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬垫 刻蚀 聚合物 去除 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
