[发明专利]一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法

权利要求书

1.一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底、铝衬垫，其特征在于，所述铝衬垫制作方式为：在衬底的最顶层依次沉积铝衬垫层、抗反射层、光刻胶层，采用光刻工艺对相应区域的所述光刻胶层进行光刻；

所述铝衬垫刻蚀聚合物去除方法包括以下步骤：

S1、采用第一次干法刻蚀对相应区域的剩余所述光刻胶层、抗反射层、铝衬垫层进行刻蚀，获取铝衬垫，同时在所述铝衬垫的表面生成聚合物，所述聚合物中残余氯离子；

S2、采用第二次干法刻蚀对剩余所述光刻胶层、所述聚合物进行刻蚀，所述第二次干法刻蚀气体包括氢气与氮气的混合气体、氧气、水气、氮气，其中所述混合气体中所述氢气的容量百分比为4％，采用包含所述氢气与所述氮气混合气体进行干法刻蚀过程中，所述氢气中的氢离子与所述聚合物中残余的所述氯离子反应，生成氯化氢气体；

S3、采用第一次湿法清洗对残余的所述聚合物进行清洗。

2.根据权利要求1所述的一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为大于等于30K埃米，所述铝衬垫的厚度大于等于28K埃米。

3.根据权利要求2所述的一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其特征在于，步骤S1中，所述第一次干法刻蚀所采用的气体为包含Cl₂、BCl₃的混合气体。

4.根据权利要求3所述的一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其特征在于，步骤S1中，采用第一刻蚀机进行第一次干法刻蚀，所述第一次干法刻蚀对所述铝衬垫进行刻蚀的工艺参数包括：刻蚀持续时间为510s，刻蚀温度为80℃，压力为8毫托，射频功率为600W-800W。

5.根据权利要求2或4所述的一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其特征在于，步骤S2中，采用所述第一刻蚀机进行第二次干法刻蚀，所述第二次干法刻蚀包括氢气与氮气的混合气体、氧气、水气、氮气，工艺参数包括：刻蚀持续时间为480s，温度为250-275摄氏度，压力为700毫托-9托，微波功率1000W-4000W。

6.根据权利要求5所述的一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其特征在于，该方法基于刻蚀机、清洗机实现，所述刻蚀机包括所述第一刻蚀机，所述清洗机包括第一清洗机，步骤S1、S2中均采用所述第一刻蚀机进行第一次干法刻蚀、第二次干法刻蚀，所述第一刻蚀机为等离子刻蚀机，步骤S3中采用所述第一清洗机对经步骤S2处理后的所述聚合物进行清洗。

7.根据权利要求6所述的一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其特征在于，步骤S3中，所述第一次湿法清洗所采用的清洗液包括NE111溶液。

8.根据权利要求7所述的一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其特征在于，步骤S3中，采用所述第一次湿法清洗对所述聚合物进行清洗的工艺参数包括：清洗持续时间60s，温度30℃，所述NE111溶液的流量为1500毫升/分钟。

9.根据权利要求8所述的一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其特征在于，其还包括步骤S4、S5，所述刻蚀机包括第二刻蚀机，所述清洗机包括第二清洗机，步骤S4，采用所述第二刻蚀机对经步骤S3清洗后的剩余所述光刻胶层、聚合物进行第三次干法刻蚀；步骤S5，采用所述第二清洗机对经步骤S4处理后剩余的所述聚合物进行第二次湿法清洗。

10.根据权利要求9所述的一种铝衬垫刻蚀聚合物去除方法，其特征在于，优选的，步骤S4中，所述第三次干法刻蚀所采用的气体包括N₂、O₂、水气、H₂N₂，其中H₂N₂是H₂和N₂的混合气体，采用的H₂含量为H₂和N₂气体总容量的4％；步骤S5中，所述第二次湿法清洗所采用的清洗液包括NE111溶液。