[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210021764.3 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114464544A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/67;H01L23/29;B23K26/362 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：去除用于固定第一载盘和晶圆的聚亚酰胺；将晶圆从第一载盘转移至第二载盘；对晶圆的背面进行金属镀膜工艺；将晶圆的背面贴附至切割模框；在晶圆的正面采用蚀刻和激光工艺切割晶圆。根据本发明的半导体器件的制备方法，可以在第一载盘中完成晶圆正面元件的制备工艺，随后可以将晶圆转移至第二载盘，对背面晶圆进行金属镀膜工艺。当将晶圆转移至第二载盘时，晶圆正面的聚亚酰胺层可以起到缓冲保护晶圆的作用，在第二载盘的支撑下完成晶圆背面的金属镀膜工艺，随后再将晶圆背面贴附至切割模框，从晶圆的正面进行切割，制备方法合理高效，提高了晶圆的制备效率和加工质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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