[发明专利]SCR器件和芯片在审
| 申请号： | 202210015941.7 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114464614A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李德建;李振国;王源;贺俊敏;申子龙;陈晓刚 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;北京大学;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 欧阳高凤 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)器件和芯片。SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。高压P阱区依次设置有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区。高压N阱区依次设置有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区，第二N+掺杂区与第一P+掺杂区之间的距离小于预设距离，预设距离为位于高压N阱区和高压P阱区共同形成的区域的最外侧的两个掺杂区之间的距离。本申请的SCR器件和芯片中，将高压P阱区中的第一P+掺杂区与高压N阱区中的第二N+掺杂区之间的距离设置为小于预设距离，当SCR器件被ESD激励并导通时，SCR器件能够分段导通，提高SCR器件的维持电压，实现了维持电压的大幅度提升。 | ||
| 搜索关键词： | scr 器件 芯片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
