[发明专利]一种掩模缺陷检测系统在审
申请号: | 202210009610.2 | 申请日: | 2022-01-05 |
公开(公告)号: | CN114442423A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 沙鹏飞;吴晓斌;王魁波;马翔宇;尹皓玉;方旭晨;谢婉露;韩晓泉;李慧;罗艳;马赫;谭芳蕊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 谷波 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及一种掩模缺陷检测系统,包括:真空腔体和隔振平台,所述真空腔体位于所述隔振平台上方,还包括:激光器,用于作为系统光源产生激光;光束整形系统,用于对所述激光进行光束整形;退相干反射镜,用于实现对所述激光的退相干;光瞳转换轮,用于光瞳选择;波带片,用于对掩模上的缺陷进行成像,法兰,用于实现腔体之间的密封连接;四爪狭缝,用于对照明光斑的尺寸进行微调;所述退相干反射镜、所述光瞳转换轮以及所述波带片位于所述真空腔体内;所述激光器产生的激光依次经过所述光束整形系统、所述法兰及四爪狭缝、所述退相干反射镜和所述光瞳转换轮,照射到掩模上进行掩模缺陷检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 缺陷 检测 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210009610.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备