[发明专利]具有主动衬底偏置的双向开关在审
申请号: | 202210004256.4 | 申请日: | 2022-01-05 |
公开(公告)号: | CN114883320A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 弗朗索瓦·赫伯特 | 申请(专利权)人: | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/8252;H03K17/56 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及具有主动衬底偏置的双向开关,揭示用于双向开关的结构及形成这样结构的方法。衬底接触件形成在衬底中所定义的沟槽中。衬底包含沟槽以及沟槽中的衬底接触件。在衬底上的双向开关包含第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极、第一源极/漏极电极与第二源极/漏极电极间的延伸区、及栅极结构。在衬底上的衬底偏置开关包含栅极结构、耦接到第一衬底接触件的第一源极/漏极电极、耦接到双向开关的第一源极/漏极电极的第二源极/漏极电极、及横向地位于栅极结构与第一源极/漏极区间的延伸区。 | ||
搜索关键词: | 具有 主动 衬底 偏置 双向 开关 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的