[发明专利]一种小尺寸的存储器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210001044.0 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114335188A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种小尺寸的存储器件结构及其制备方法。该小尺寸的存储器件结构包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U形槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U形槽贯穿N阱区；半浮栅介质层，形成在所述U形槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在N阱区表面形成有窗口；半浮栅，覆盖所述半浮栅介质层并完全填充所述U形槽，且在窗口处与N阱区表面相接触；控制栅介质层，形成在所述半浮栅上表面；控制栅，覆盖所述控制栅介质层；源区和漏区，分别形成在所述控制栅两侧的N阱区中。通过半浮栅晶体管U形槽侧壁寄生的PMOS管对半浮栅区域进行编程，极大地简化了半浮栅晶体管结构和微缩了器件单元尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 存储 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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