[发明专利]一种小尺寸的存储器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210001044.0 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114335188A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 存储 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种小尺寸的存储器件结构，其特征在于，
包括：
衬底，其形成有P阱区、N阱区和U形槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U形槽贯穿N阱区；
半浮栅介质层，形成在所述U形槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在N阱区表面形成有窗口；
半浮栅，覆盖所述半浮栅介质层并完全填充所述U形槽，且在窗口处与N阱区表面相接触；
控制栅介质层，形成在所述半浮栅上表面；
控制栅，覆盖所述控制栅介质层；
源区和漏区，分别形成在所述控制栅两侧的N阱区中。
2.根据权利要求1所述的小尺寸的存储器件结构，其特征在于，
所述半浮栅为P型多晶硅，所述控制栅为N型多晶硅。
3.根据权利要求1所述的小尺寸的存储器件结构，其特征在于，
还包括N型重掺杂区，形成在所述控制栅两侧的所述N阱区中，用于调控窗口处PN结的反偏漏电大小。
4.一种小尺寸的存储器件结构制备方法，其特征在于，
包括以下步骤：
在衬底的器件制作区域形成P阱区和N阱区，所述N阱区位于所述P阱区上方；
刻蚀形成U形槽，使U形槽贯穿所述N阱区；
形成半浮栅介质层，随后进行刻蚀，在所述N阱区表面形成窗口；
形成半浮栅，使其覆盖半浮栅介质层并完全填充U形槽，且在窗口处与所述N阱区表面相接触；
在所述半浮栅上形成控制栅介质层；
形成控制栅，使其覆盖所述控制栅介质层；
进行边缘刻蚀，使控制栅两侧的部分所述N阱区的表面露出，进行N型离子注入形成源区和漏区。
5.根据权利要求4所述的小尺寸的存储器件结构制备方法，其特征在于，
采用干氧氧化方法形成氧化硅作为半浮栅介质层。
6.根据权利要求4所述的小尺寸的存储器件结构制备方法，其特征在于，所述半浮栅为P型多晶硅，所述控制栅为N型多晶硅。
7.根据权利要求4所述的小尺寸的存储器件结构制备方法，其特征在于，
在形成源漏区前在所述控制栅两侧的所述N阱区中进行重掺杂的N型离子注入形成N型重掺杂区，用于调控窗口处PN结的反偏漏电大小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210001044.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：黄瓜对叶生长培育方法
- 下一篇：一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
