[发明专利]体电介质和半导体中的低阈值超连续谱生成在审
| 申请号： | 202180088236.3 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116636099A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 谢尔盖·瓦西里夫;迈克·米罗夫;伊戈尔·莫斯卡廖夫 | 申请（专利权）人： | IPG光子公司 |
| 主分类号： | H01S3/17 | 分类号： | H01S3/17 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯;李敬文 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
通过将由fs振荡器以全脉冲重复PRR输出的第一波长的光耦合到体非线性材料(BNLM)中来提供控制具有正热光系数(dn/dT＞0 K |
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| 搜索关键词： | 电介质 半导体 中的 阈值 连续谱 生成 | ||
【主权项】：
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- 2009-05-15 - 2010-02-17 - H01S3/17
- 本实用新型提供了一种4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置，本实用新型的4×1阵列钕玻璃片的洁净保护装置设置在片箱内，在片箱的对角线立柱的垂直方向上成单列布置有四块钕玻璃片，在所述的立柱内部开有贯穿整根立柱的气体通路，在立柱的底部设置气管接口，在立柱上与钕玻璃片的前端面和后端面齐平处设置有一个气体风刀隙缝。本实用新型在钕玻璃片的表面形成一层风幕，可阻挡或屏蔽有害污染物或颗粒物接触钕玻璃片，保持钕玻璃片表面的洁净。
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