[发明专利]具有轴向三维发光二极管的光电子器件在审
| 申请号： | 202180085770.9 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN116636010A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 迈赫迪·达努内;奥尔加·克里利乌克 | 申请（专利权）人： | 艾利迪公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 法国埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开涉及包括轴向发光二极管(LED)矩阵的光电子器件(5)。每个发光二极管(LED)包括发射电磁辐射的有源层(36)。矩阵形成光子晶体，该光子晶体在包含有源层的平面中具有至少第一和第二谐振峰，每个第一和第二峰分别放大在第一和第二波长下的辐射强度。每个发光二极管(LED)包括沿着轴线(Δ)延伸的细长半导体元件(26)，其具有第一平均直径(D |
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| 搜索关键词： | 具有 轴向 三维 发光二极管 光电子 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
