[发明专利]使用互补开关的存储器内电阻式随机存取存储器XOR逻辑在审
| 申请号： | 202180082357.7 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN116601709A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 安藤崇志;龚南博;G·M·科恩 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H10B63/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在使用或形成半导体结构的方法中。该半导体结构可包括具有第一电极和第二电极的电阻式随机存取存储器(RRAM)栅极。RRAM栅极还可包括开关层，该开关层包括具有开关层k值和开关层热导率的电介质材料。RRAM栅极还可包括互补开关(CS)缓解层，该CS缓解层具有低于开关层k值的CSk值和高于开关层热导率的CS热导率的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 互补 开关 存储器 电阻 随机存取存储器 xor 逻辑 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180082357.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于运行废气后处理设备的方法
- 下一篇：通信装置、通信装置的控制方法和程序
