[发明专利]谐振合成反铁磁参考分层结构在审
申请号: | 202180071119.6 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN116368953A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | C·萨弗兰斯基;孙赞红 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H10B61/00 | 分类号: | H10B61/00;H10N50/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈金林 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种磁性存储器件,包括磁性隧道结(MTJ)柱,该磁性隧道结(MTJ)柱包含稳定谐振合成反铁磁(SAF)参考分层结构(10),其中该SAF参考分层结构(10)的极化磁性层(20)的铁磁谐振特性基本上与该SAF参考分层结构(10)内的至少第一磁性参考层(16)匹配。通过使极化磁性层(20)的铁磁谐振特性与至少第一磁性参考层(16)基本匹配,提供了MTJ柱,在该MTJ柱中,极化磁性层(20)的动态稳定性可以提高,并且与写入错误相关的不期望的磁性参考层(16)不稳定性可以减轻。 | ||
搜索关键词: | 谐振 合成 反铁磁 参考 分层 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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