[发明专利]模拟神经存储器中的并发写入和验证操作在审
申请号: | 202180051165.X | 申请日: | 2021-03-04 |
公开(公告)号: | CN115885345A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | H·V·特兰 | 申请(专利权)人: | 硅存储技术股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 蔡悦 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了使得能够实现并发的写入和验证操作的模拟神经存储器系统的多个实施方案。在一些实施方案中,并发的操作发生在存储器的不同存储体之间。在其他实施方案中,并发的操作发生在存储器的不同块之间,其中每个块包括存储器的两个或更多个存储体。这些实施方案显著减小模拟神经存储器系统中权重写入和验证操作的定时开销。 | ||
搜索关键词: | 模拟 神经 存储器 中的 并发 写入 验证 操作 | ||
【主权项】:
暂无信息
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