[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 202180047091.2 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN115812255A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 增田健良;小杉亮治 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;曲盛 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 有源区域包含第一超结层和元件层。第一超结层交替地具有第一区域和第二区域。周边区域包含第二超结层、终端层和绝缘层。第二超结层交替地具有第三区域和第四区域。终端层与第二超结层接触并设置在第二超结层之上，并且交替地具有第五区域和第六区域。第五区域与第三区域对应地设置，并且第六区域与第四区域对应地设置。第六区域的杂质浓度大于第五区域的杂质浓度，并且为第五区域的杂质浓度的68倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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