[发明专利]具有修改的接近区域的III族氮化物二极管在审
| 申请号： | 202180043460.0 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115803892A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 裴东斐;卢斌 | 申请（专利权）人： | 剑桥电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王艳波;吴东亮 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开描述了用于修改III族氮化物半导体二极管的阳极电极和阴极电极之间的自由电子密度的结构和技术。电子密度降低区域(EDR区域)安置在二极管结构的阳极电极和阴极电极之间。在某些实施方案中，使用沟槽来产生EDR区域。在其它实施方案中，通过将减少沟道层中的自由电子的物质植入到区域来产生EDR区域。在另一实施方案中，通过在势垒层上形成盖层来产生EDR区域，其中盖层减少了盖层下方沟道中的自由电子。在另一实施方案中，可以在EDR区域中形成盖层，并且可以在EDR区域外产生掺杂区域，其中杂质充当电子供体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 修改 接近 区域 iii 氮化物 二极管 | ||
【主权项】：
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