[发明专利]具有修改的接近区域的III族氮化物二极管

权利要求书

1.一种用于III族氮化物(III-N)半导体装置的二极管结构，所述二极管结构包括：

沟道层；

势垒层，其中电子形成在所述沟道层和所述势垒层之间的界面处；

阳极电极，所述阳极电极与所述势垒层肖特基接触；

阴极电极，所述阴极电极安置在与所述势垒层接触的欧姆凹槽中，其中所述阳极电极和所述阴极电极之间的区域限定为接近区域；以及

一个或多个电子密度降低区域，所述一个或多个电子密度降低区域安置在所述接近区域中，其中与所述接近区域的其它部分相比，所述电子密度降低区域中的电子密度是降低的。

2.如权利要求1所述的二极管结构，其中每个电子密度降低区域均具有长度(La)和宽度(Wa)，并且以分离距离(Wb)与相邻的电子密度降低区域分离，其中所述分离距离(Wb)随着从所述阳极电极到所述阴极电极移动而改变。

3.如权利要求1所述的二极管结构，其中所述电子密度降低区域包括沟槽，其中所述沟槽的深度小于、等于或大于所述势垒层的厚度。

4.如权利要求1所述的二极管结构，其中所述电子密度降低区域包括所述势垒层中的植入区域，其中所述植入区域的深度小于、等于或大于所述势垒层的厚度。

5.如权利要求4所述的二极管结构，其中所述植入区域被植入氮、氩、氟或镁。

6.如权利要求1所述的二极管结构，其中所述电子密度降低区域包括安置在所述势垒层上的盖层，并且其中所述盖层不安置在所述接近区域的其它部分中的势垒层上，并且所述盖层包括掺镁III族氮化物半导体。

7.如权利要求1所述的二极管结构，进一步包括安置在所述接近区域中的整个势垒层上的盖层，并且其中杂质被引入安置在所述接近区域的其它部分中的盖层中以形成掺杂区域，并且其中所述杂质未被引入所述电子密度降低区域中的盖层中。

8.如权利要求7所述的二极管结构，其中所述盖层包括掺镁III族氮化物半导体，并且所述杂质包括硅、氧或氢。

9.如权利要求1所述的二极管结构，其中所述电子密度降低区域至少部分地在所述阳极电极下方延伸。

10.如权利要求9所述的二极管结构，其中包括掺镁III族氮化物半导体的盖层安置在所述电子密度降低区域中，并不安置在所述接近区域的其它部分中。

11.如权利要求10所述的二极管结构，其中所述电子密度降低区域延伸经过所述阳极电极。

12.如权利要求11所述的二极管结构，其中在所述阳极电极和所述势垒层之间的所述肖特基接触包括多个断开区域。

13.如权利要求10所述的二极管结构，其中所述阳极电极的底表面的一部分接触所述电子密度降低区域的顶表面。

14.如权利要求10所述的二极管结构，其中电介质层安置在所述阳极电极的底表面和所述电子密度降低区域的顶表面之间。

15.如权利要求14所述的二极管结构，其中所述阳极电极至少接触所述盖层的一侧。

16.如权利要求10所述的二极管结构，其中场板安置在所述电子密度降低区域的至少一部分上方，并且其中所述场板的部分通过电介质层与所述电子密度降低区域分离。

17.如权利要求16所述的二极管结构，其中所述电子密度降低区域的阴极侧边缘比所述场板的阴极侧边缘更靠近所述阴极电极。