[发明专利]可变循环控制特征在审
| 申请号： | 202180035379.8 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115605985A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 文卡塔纳拉亚纳·尚卡拉穆尔提;安东·巴里什尼科夫;布雷特·伯伦斯;米特斯·桑维;刘霜 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法包括识别用于在基板处理系统的处理腔室中的基板上沉积多个层的配方。该配方包括一组处理的迭代。每个迭代用于沉积至少一层。该方法进一步包括确定用以造成层的均匀性的迭代调整。每一个迭代调整对应于相应迭代。该方法进一步包括确定用以造成各层中的一个或多个层的厚度的调整的乘数。这些乘数中的每个乘数对应于相对应的迭代。该方法进一步包括将这些迭代调整和这些乘数储存为经储存的迭代调整和经储存的乘数。这些层是基于该配方以及经储存的迭代调整和经储存的乘数而沉积在基板上的。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 循环 控制 特征 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
