[发明专利]可变循环控制特征在审
| 申请号: | 202180035379.8 | 申请日: | 2021-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN115605985A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
| 发明(设计)人: | 文卡塔纳拉亚纳·尚卡拉穆尔提;安东·巴里什尼科夫;布雷特·伯伦斯;米特斯·桑维;刘霜 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 可变 循环 控制 特征 | ||
一种方法包括识别用于在基板处理系统的处理腔室中的基板上沉积多个层的配方。该配方包括一组处理的迭代。每个迭代用于沉积至少一层。该方法进一步包括确定用以造成层的均匀性的迭代调整。每一个迭代调整对应于相应迭代。该方法进一步包括确定用以造成各层中的一个或多个层的厚度的调整的乘数。这些乘数中的每个乘数对应于相对应的迭代。该方法进一步包括将这些迭代调整和这些乘数储存为经储存的迭代调整和经储存的乘数。这些层是基于该配方以及经储存的迭代调整和经储存的乘数而沉积在基板上的。
技术领域
本公开内容涉及可变循环控制(loop control)特征,并且尤其涉及用于基板处理的可变循环控制特征。
背景技术
产品是通过使用制造设备进行一个或多个制造处理来生产的。例如,基板处理设备用于经由基板制造处理来生产基板。基板制造处理包括在基板上沉积层。
发明内容
以下是本公开内容的简化概述,用以提供对本公开内容一些方面的基本理解。本概述不是对本公开内容的广泛概述。既不旨在识别本公开内容的关键或关键性要素,也不旨在描绘本公开内容的专门(particular)实现方式的任何范围或权利要求的任何范围。本发明内容唯一目的是以简化形式呈现本公开内容的一些构思,作为稍后呈现的更详细描述的序言。
在本公开内容的一个方面中,一种方法包括识别用于在基板处理系统的处理腔室中的基板上沉积多个层的配方(recipe)。该配方包括一组一个或多个处理的多个迭代(iteration)。多个迭代的每个迭代用于沉积多个层中的至少一层。该方法进一步包括确定多个用以造成多个层的均匀性的迭代调整。多个迭代调整的每一个迭代调整对应于多个迭代的相应迭代。该方法进一步包括确定一个或多个用以造成多个层中的一个或多个层的厚度的调整的乘数(multiplier)。一个或多个乘数中的每个乘数对应于多个迭代的相对应迭代。该方法进一步包括将多个迭代调整和一个或多个乘数储存为经储存的多个迭代调整和一个或多个经储存的乘数。多个层是基于该配方和经储存的多个迭代调整和一个或多个经储存的乘数而沉积在一个或多个基板上的。
在本公开内容的另一方面中,一种储存指令的非暂态机器可读储存介质,这些指令当被执行时,使得处理装置进行包括以下步骤的操作:识别用于在基板处理系统的处理腔室中的基板上沉积多个层的配方。该配方包括一组一个或多个处理的多个迭代。多个迭代的每个迭代用于沉积多个层中的至少一层。这些操作进一步包括确定多个用以造成多个层的均匀性的迭代调整。多个迭代调整的每一个迭代调整对应于多个迭代的相应迭代。这些操作进一步包括确定一个或多个用以造成多个层中的一个或多个层的厚度的调整的乘数。一个或多个乘数中的每个乘数对应于多个迭代的相对应迭代。这些操作进一步包括将多个迭代调整和一个或多个乘数储存为经储存的多个迭代调整和一个或多个经储存的乘数。多个层是基于该配方和经储存的多个迭代调整和一个或多个经储存的乘数而沉积在一个或多个基板上的。
在本公开内容的另一方面中,一种系统包括存储器和处理装置,处理装置耦接到存储器。处理装置用以识别用于在处理腔室中的基板上沉积多个层的配方。该配方包括一组一个或多个处理的多个迭代。多个迭代的每个迭代用于沉积多个层中的至少一层。该处理装置进一步用以确定多个用以造成多个层的均匀性的迭代调整。多个迭代调整的每一个迭代调整对应于多个迭代的相应迭代。该处理装置进一步用以确定一个或多个用以造成多个层中的一个或多个层的厚度的调整的乘数。一个或多个乘数中的每个乘数对应于多个迭代的相对应迭代。该处理装置进一步用以将多个迭代调整和一个或多个乘数储存为经储存的多个迭代调整和一个或多个经储存的乘数。多个层是基于该配方和经储存的多个迭代调整和一个或多个经储存的乘数而沉积在一个或多个基板上的。
附图说明
在附图的各图中,通过范例而非限制的方式示出了本公开内容。
图1A是根据某些实施方式的示例性的系统架构的方块图。
图1B是根据某些实施方式的与迭代调整和乘数一起使用的配方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





