[发明专利]可变循环控制特征在审
| 申请号: | 202180035379.8 | 申请日: | 2021-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN115605985A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
| 发明(设计)人: | 文卡塔纳拉亚纳·尚卡拉穆尔提;安东·巴里什尼科夫;布雷特·伯伦斯;米特斯·桑维;刘霜 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 可变 循环 控制 特征 | ||
1.一种方法,包括以下步骤:
识别用于在基板处理系统的处理腔室中的基板上沉积多个层的配方,其中所述配方包括一组一个或多个处理的多个迭代,并且其中所述多个迭代的每个迭代用于沉积所述多个层中的至少一层;
确定用以造成所述多个层的均匀性的多个迭代调整,其中所述多个迭代调整的每一个迭代调整对应于所述多个迭代的相应迭代;
确定用以造成所述多个层中的一个或多个层的厚度的调整的一个或多个乘数,其中所述一个或多个乘数中的每个乘数对应于所述多个迭代的相对应迭代;和
将所述多个迭代调整和所述一个或多个乘数储存为经储存的多个迭代调整和一个或多个经储存的乘数,其中所述多个层是基于所述配方以及所述经储存的多个迭代调整和所述一个或多个经储存的乘数而沉积在一个或多个基板上的。
2.如权利要求1所述的方法,其中:
所述一组一个或多个处理包括用于在所述基板上沉积所述多个层中的所述至少一层的多个制造参数;
所述多个迭代调整的每个迭代调整通过进行一个或多个相对应的加法运算来更新所述一组一个或多个处理的相应迭代的所述多个制造参数中的一个或多个制造参数;和
所述一个或多个乘数中的每个乘数通过进行一个或多个相对应的乘法运算来更新所述一组一个或多个处理的相对应迭代的所述多个制造参数中的至少一个制造参数。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述多个制造参数包括以下之一或多种:
气体流量;
高频射频(HFRF)功率;
低频射频(LFRF)功率;
升降间距;
腔室压强;
底部调谐器参数;或
内分区加热器温度。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述多个层的所述均匀性包括以下之一或多种:
所述多个层中的每一层具有相同的厚度;
所述多个层中的每一层都是均匀的;或
所述多个层中的每组相邻层具有相同的面间距。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述多个迭代调整的所述确定的步骤包括以下步骤:
在第一基板上沉积第一类型的第一多个层;
确定所述第一多个层的第一计量数据;和
基于所述第一计量数据,产生用以调整相对应的制造参数来造成所述第一多个层的所述均匀性的第一迭代调整,其中所述多个迭代调整是基于所述第一迭代调整。
6.如权利要求5所述的方法,其中所述第一计量数据包括所述第一多个层中的每一个层的相对应厚度。
7.如权利要求5所述的方法,其中所述多个迭代调整的所述确定的步骤进一步包括以下步骤:
在第二基板上沉积第二类型的第二多个层,其中所述第二类型不同于所述第一类型;
确定所述第二多个层的第二计量数据;和
基于所述第二计量数据,产生用以调整相应的制造参数来造成所述第二多个层的所述均匀性的第二迭代调整,其中所述多个迭代调整是进一步基于所述第二迭代调整。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述多个迭代调整的所述确定的步骤进一步包括以下步骤:
使用所述第一迭代调整和所述第二迭代调整,在第三基板上沉积所述第一类型和所述第二类型的第三多个交替层;
确定所述第三多个交替层的第三计量数据;和
基于所述第三计量数据,产生用以调整相对应的时间值来造成所述第三多个交替层的所述均匀性的第三迭代调整,其中所述多个迭代调整是进一步基于所述第三迭代调整。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述一个或多个乘数的所述确定的步骤包括以下步骤:确定对应于与厚度的专门调整相对应的一个或多个制造参数的一个或多个灵敏度因数。
10.如权利要求9所述的方法,其中所述一个或多个制造参数包括RF功率、等离子体阻抗、或时间中的一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





