[发明专利]Cr-Si系烧结体、溅射靶及薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 202180022499.4 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN115298149B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 原浩之;召田雅实;增田彩花 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国山口县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
Cr‑Si系烧结体含有Cr和Si。Cr‑Si系烧结体包含晶态的CrSi |
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| 搜索关键词： | cr si 烧结 溅射 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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